BFU725F Высокочастотный кремний-германиевый NPN транзистор с широкой полосой частот
|
Блок-схема  Группа компонентов NPNОсновные параметры
Общее описаниеМикроволновый n-p-n транзистор BFU725F характеризуется уникальным сочетанием высокой частоты коммутации, большого коэффициента усиления и малого шума. Благодаря очень низкому уровню шума, он идеален для применения в чувствительных РЧ приемниках, особенно в тех, которые используются в высококачественных сотовых телефонах. Альтернативно, за счет большой частоты среза, он прекрасно подходит для использования в микроволновых устройствах, работающих в диапазоне 10…30 ГГц, в т.ч. спутниковые ТВ-ресиверы и автомобильные системы предупреждения об опасном сближении. Добиться столь высоких рабочих характеристик от BFU725F стало возможным, благодаря использованию инновационной кремниево-германиево-углеродной (SiGeC) BiCMOS технологии QUBiC4X. Эта технология была специально разработана с учетом требований современных высокочастотных применений. Она позволяет добиться непревзойденного сочетания большого коэффициента усиления и отличного динамического диапазона. Технология QUBiC4X объединяет в себе высокие рабочие характеристики арсенид-галлиевых (GaAs) технологий с надежностью кремниевой технологии. Кроме того, применение BFU725F не связано с необходимостью его дополнения источником отрицательного напряжения или специальной ИС для смещения. Таким образом, решение на его основе будет более выгодным по себестоимости, чем при использовании GaAs pHEMT приборов. Отличительные особенности:
|
 BFU725F (76.2 Кб), 20.08.2008
|
Datasheet
BFU725F Высокочастотный кремний-германиевый NPN транзистор с широкой полосой частот (76.2 Кб), 20.08.2008
| Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, Кол-во просмотров: 6049 |
Дата публикации: 20.08.2008 10:28 Дата редактирования: 20.08.2008 10:34 |
