H11G2M Высоковольтный оптрон с составным фототранзистором

 

Блок-схема

H11G2M, Высоковольтный оптрон с составным фототранзистором

Группа компонентов

Оптроны с составным транзистором

Основные параметры

VOUT (макс.) 80
TA,°C от -40 до 100
Корпус DIP-6 DIP-6-400

Общее описание

H11GxM - серия оптронов с составным фототранзистором. Устройство состоит из арсенид-галлиевого инфракрасного светодиода, оптически связанного с кремниевым составным фототранзистором с интегрированным резистором база-эмиттер для оптимизации рабочих характеристик оптрона при повышенных температурах.

Доступные опции:

  • пусто - Стандартный корпус DIP-6, расстояние между рядами выводов 0.3 дюйма
  • S - Формованные выводы для поверхностного монтажа
  • SR2 - Формованные выводы для поверхностного монтажа + упаковка "лента на катушке" (Tape&Reel)
  • T - корпус DIP-6, расстояние между рядами выводов 0.4 дюйма
  • V - Соответствует стандарту VDE 0884
  • TV - Соответствует стандарту VDE 0884 + корпус DIP-6, расстояние между рядами выводов 0.4 дюйма
  • SV - Соответствует стандарту VDE 0884 + Формованные выводы для поверхностного монтажа
  • SR2V - Соответствует стандарту VDE 0884 + Формованные выводы для поверхностного монтажа + упаковка "лента на катушке" (Tape&Reel)
Datasheet
 
H11G1M-H11G3M (134.4 Кб), 01.08.2008

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

H11G1M-H11G3M Высоковольтный оптрон с составным фототранзистором (134.4 Кб), 01.08.2008




Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1907
Дата публикации: 01.08.2008 13:48
Дата редактирования: 01.08.2008 13:53


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019