H11B1M Оптрон общего назначения с составным фототранзистором

 

Блок-схема

H11B1M, Оптрон общего назначения с составным фототранзистором
Увеличить

Группа компонентов

Оптроны с составным транзистором

Основные параметры

VOUT (макс.) 25
TA,°C от -40 до 100
Корпус DIP-6 DIP-6-400

Общее описание

Доступные опции:

  • пусто - Стандартный корпус DIP-6, расстояние между рядами выводов 0.3 дюйма
  • S - Формованные выводы для поверхностного монтажа
  • SR2 - Формованные выводы для поверхностного монтажа + упаковка "лента на катушке" (Tape&Reel)
  • T - корпус DIP-6, расстояние между рядами выводов 0.4 дюйма
  • V - Соответствует стандарту VDE 0884
  • TV - Соответствует стандарту VDE 0884 + корпус DIP-6, расстояние между рядами выводов 0.4 дюйма
  • SV - Соответствует стандарту VDE 0884 + Формованные выводы для поверхностного монтажа
  • SR2V - Соответствует стандарту VDE 0884 + Формованные выводы для поверхностного монтажа + упаковка "лента на катушке" (Tape&Reel)
Datasheet
 
4N29M_4N30M_4N32M_11B1M_TIL113M (228.6 Кб), 29.07.2008

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

4N29M_4N30M_4N32M_11B1M_TIL113M Оптрон общего назначения с составным фототранзистором (228.6 Кб), 29.07.2008




Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 2318
Дата публикации: 29.07.2008 11:04
Дата редактирования: 29.07.2008 11:38


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019