+ Si5855DC, P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Si5855DC P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode

 

Блок-схема

Si5855DC, P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность P
Каналов,шт 1
VDS,В 20
RDS(ON) 1.8 В,мОм 205
RDS(ON) 2,7 В,мОм 137
RDS(ON) 4.5 В,мОм 95
ID,А 2.7
PD,Вт 1.1
Корпус ChipFET_1206-8
Datasheet
 
Si5855DC (97.3 Кб), 05.06.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

Si5855DC P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode (97.3 Кб), 05.06.2008



Автор документа: Оксана Данова, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1034 		Дата публикации: 05.06.2008 17:51
Дата редактирования: 05.06.2008 17:53

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники