+ Si5856DC, N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Si5856DC N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode

 

Блок-схема

Si5856DC, N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 20
RDS(ON) 1.8 В,мОм 42
RDS(ON) 2,7 В,мОм 36
RDS(ON) 4.5 В,мОм 32
ID,А 4.4
PD,Вт 1.1
Корпус ChipFET_1206-8
Datasheet
 
Si5856DC (108 Кб), 20.05.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

Si5856DC N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode (108 Кб), 20.05.2008



Автор документа: Оксана Данова, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 789 		Дата публикации: 20.05.2008 13:05
Дата редактирования: 20.05.2008 13:09

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники