IRF60DM206 N-канальный MOSFET-транзистор семейства StrongIRFET™ в корпусе DirectFET®

Блок-схема

Группа компонентов

Основные параметры

Общее описание

Отличительные особенности:

• Чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала R_DS(ON)
• Большой рабочий ток
• Высоконадежный кремниевый кристалл
• Улучшенные параметры затвора, лавинного пробоя и крутизны динамической характеристики dv/dt
• Сниженное тепловое сопротивление между выводами корпуса и печатной платой
• Высокая плотность тока
• Масштабируемость схемы
• Соответствуют требованиям директивы RoHS

Преимущества угловой площадки затвора:

• Меньшее сопротивление между корпусом транзистора и печатной платой
• Значительно большая площадь пайки вывода истока по сравнению с типовыми размерами для корпусов DirectFET™
• Увеличенная крутизна характеристик dv/dt и di/dt паразитного диода
• Оптимальное значение сопротивления открытого канала R_DS(ON) для достижения минимальных потерь на переключение

IRF60DM206

Infineon Technologies

Поставки и консультации:

EBV Elektronik

http://www.ebv.com/

Дистрибуторы

• EBV Elektronik
• ЭФО
• Симметрон

Дилеры

• Чиптрэйд
• Элкотех
• ГАММА. Выборг
• СКАНТИ Рус
• СМД Компонент
• Золотой Шар

Где купить ещё