+ MWE6IC9100NBR1, Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MWE6IC9100NBR1 Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем

 

Блок-схема

MWE6IC9100NBR1, Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем

Группа компонентов

LDMOS транзисторы

Основные параметры

Тактовая частота: F (мин.),МГц 865
Тактовая частота: F (макс.),МГц 960
VDS,В 26
P1dB,дБм 50.5
POUT,Вт 100
Gain (тип.),дБ 33.5
µD,% 54
Согласованный Да
Корпус TO-272WB-14

Общее описание
Datasheet
 
MWE6IC9100NBR1 (1.1 Мб), 01.06.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MWE6IC9100NBR1 Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем (1.1 Мб), 01.06.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 393 		Дата публикации: 01.06.2015 09:05
Дата редактирования: 01.06.2015 09:07

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники