+ MRF8P23160WHSR3, Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MRF8P23160WHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)

 

Блок-схема

MRF8P23160WHSR3, Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)

Группа компонентов

LDMOS транзисторы

Основные параметры

Тактовая частота: F (мин.),МГц 2300
Тактовая частота: F (макс.),МГц 2400
VDS,В 28
P1dB,дБм 51.8
POUT,Вт 30
Gain (тип.),дБ 14.1
µD,% 36.5
Согласованный Да
Корпус NI-780S-4

Общее описание
Datasheet
 
MRF8P23160W (535.6 Кб), 27.05.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MRF8P23160W Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) (535.6 Кб), 27.05.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 334 		Дата публикации: 27.05.2015 16:03
Дата редактирования: 27.05.2015 16:03

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники