Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

TK100E10N1 Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 100 В

 

Блок-схема

TK100E10N1, Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 100 В
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 100
RDS(ON) 10 В,мОм 2.8
ID,А 100
PD,Вт 255
Корпус TO-220

Общее описание

  • Рабочее напряжение 100 В
  • Допустимый средний рабочий ток до 100 А (ограничен характеристиками корпуса)
  • Малое сопротивление канала в открытом состоянии: 2.8 мОм для устройств в корпусах TO-220 или 3.2 мОм для устройств в корпусах 220SIS при напряжении затвора 10 В
  • Малая входная емкость: 8800 пФ
  • Диапазон рабочих температур от -55°C до +150°C
    • Datasheet
     
    TK100E10N1 (246.7 Кб), 27.12.2012

    Производитель
     

    Где купить
     

    Поставки и консультации:

    Дистрибуторы

    Дилеры

    Где купить ещё

    Datasheet

    TK100E10N1 Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 100 В (246.7 Кб), 27.12.2012



    Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
     Кол-во просмотров: 1176     		Дата публикации: 27.12.2012 07:12
    Дата редактирования: 27.12.2012 07:13

    подписка на новости

    Подпишись на новости!
    Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



    Мероприятия:

    17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



    SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

    © 1998-2023 Рынок Микроэлектроники