GT50JR21 Силовые IGBT-транзисторы для инверторов сетевого напряжения

 

Блок-схема

GT50JR21, Силовые IGBT-транзисторы для инверторов сетевого напряжения

Группа компонентов

IGBT Модули

Основные параметры

VCES 600
Рабочий ток: IC 50
VCE(sat) 1.5
td(on) (тип.),нс 260
tr (тип.),нс 80
td(off) (тип.),нс 310
PD,Вт 76
IF(FWD) 40
Кол-во ключей 2
Конфигурация
NTC Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-3P

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Индуцированный канал
  • Высокая скорость переключения: время спада импульса 0.08 мкс (тип. при токе коллектора 50 А)
  • Низкое напряжение насыщения: 1.5 В (тип. при токе коллектора 50 А)
  • Интегрированные в одном корпусе IGBT-транзистор и обратный диод
  • Доступны в корпусах TO-3P (N)

Область применения:

  • Индукционные печи
  • Силовые инверторы


Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё






Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1409
Дата публикации: 06.08.2012 12:33
Дата редактирования: 06.08.2012 12:44


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019