Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXFK40N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFK40N90P, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 900
RDS(ON) 1.8 В,мОм 210
RDS(ON) 2,7 В,мОм 210
RDS(ON) 2,5 В,мОм 210
RDS(ON) 4.5 В,мОм 210
RDS(ON) 10 В,мОм 210
ID,А 40
PD,Вт 960
Корпус TO-264

Общее описание

Особенности:

  • Лавинная устойчивость
  • Высокая надёжность
  • Устойчивость к высокому dv/dt
  • Технология HiPerFET™ - встроенный быстрый диод
  • Низкое значение RDS(on)
  • Q2-класс: очень низкий заряд затвора, очень быстрое переключение
  • Q-класс: низкий заряд затвора, быстрое переключение
Datasheet
 
IXFx40N90P (118.4 Кб), 16.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFx40N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) (118.4 Кб), 16.01.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 482 		Дата публикации: 16.01.2012 14:09
Дата редактирования: 16.01.2012 14:10

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники