+ PBSM5240PF, 40 В, 2A PNP транзистор с низким VCEsat (BISS), N-каналом Trench MOSFET
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

PBSM5240PF 40 В, 2A PNP транзистор с низким VCEsat (BISS), N-каналом Trench MOSFET

 

Блок-схема

PBSM5240PF, 40 В, 2A PNP транзистор с низким VCEsat (BISS), N-каналом Trench MOSFET

Группа компонентов

MOSFET
PNP

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
Корпус DFN2020B-6
VDS,В 30
RDS(ON) 4.5 В,мОм 370
ID,А 0.66
PD,Вт 1.25

Общее описание

Ключевые характеристики PBSM5240PF BISS транзистора и n-канального полевого МОП-транзистора с вертикальным расположением затвора:

  • Высокий ток коллектора IC и импульсный ток коллектора ICM
  • Высокий коэффициент усиления по току (hFE) при большом токе коллектора IC
  • Высокая энергоэффективность за счет меньшего тепловыделения
  • Очень низкое напряжение насыщения «коллектор-эмиттер» (VCEsat)
  • Корпус DFN2020-6 с площадью основания 2x2 мм, высвобождающий место на печатной плате
Datasheet
 
PBSM5240PF (794.7 Кб), 15.08.2011

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

PBSM5240PF 40 В, 2A PNP транзистор с низким VCEsat (BISS), N-каналом Trench MOSFET (794.7 Кб), 15.08.2011



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 2066 		Дата публикации: 15.08.2011 14:35
Дата редактирования: 15.08.2011 14:38

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники