Компоненты группы Параллельные ИОН

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VOUT (В)
Погрешность (макс.) (%)
ТК (ppm/°C)
IO (мин.) (мкА)
IO (макс.) (мА)
Шум (0.1...10Гц) (мкВП-П)
Шум (10Гц...10кГц) (мкВ)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 15 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VOUT
В
Погрешность (макс.)
%
ТК
ppm/°C
IO (мин.)
мкА
IO (макс.)
мА
Шум (0.1...10Гц)
мкВП-П
Шум (10Гц...10кГц)
мкВ
TA
°C
Корпус
                           
LT1004IZ-1.2 Микромощный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
1.235 0.3 20 8 0.01 - 60 -40 ... 85 TO-92
LT1009C Параллельный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
2.5 0.4 25 0.4 - - - 0 ... 70 MSOP-8
SOIC-8
LT1009C Прецизионный источник опорного напряжения на 2.5 В Texas Instruments Параллельные ИОН
2.5 0.2 25 400 10 - 120 0 ... 70 SOIC-8
TO-92
TSSOP-8
LT1009CZ Параллельный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
2.5 0.2 25 0.4 - - - 0 ... 70 TO-92
LT1009I Прецизионный источник опорного напряжения на 2.5 В Texas Instruments Параллельные ИОН
2.5 0.2 35 400 10 - 120 -40 ... 85 SOIC-8
TO-92
TSSOP-8
LT1009I Параллельный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
2.5 0.4 35 0.4 - - - -40 ... 85 SOIC-8
LT1009IZ Параллельный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
2.5 0.2 35 0.4 - - - -40 ... 85 TO-92
LT1009M Источник опорного напряжения на 2.5 В для военных применений Texas Instruments Параллельные ИОН
2.5 0.2 35 400 10 - 120 -55 ... 125 Chip
LT1029ACZ Параллельный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
5 0.2 20 700 10 - - 0 ... 70 TO-92
LT1029CZ Параллельный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
5 0.2 34 700 10 - - 0 ... 70 TO-92
LT1034S8-1.2 Микромощный, 2-канальный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
1.225 1.2 40 10 0.02 4 - -40 ... 85 SOIC-8
LT1034S8-2.5 Микромощный, 2-канальный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
2.5 1.2 40 15 0.03 6 - -40 ... 85 SOIC-8
LT1034Z-1.2 Микромощный, 2-канальный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
1.225 1.2 20 10 0.02 4 - -40 ... 85 TO-92
LT1034Z-2.5 Микромощный, 2-канальный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
2.5 1.2 20 15 0.03 6 - -40 ... 85 TO-92
LT1389-1.25 Наномощный, прецизионный, параллельный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
1.25 0.05 4 0.6 - 25 - 0 ... 70 SOIC-8
LT1389-2.5 Наномощный, прецизионный, параллельный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
2.5 0.05 8 0.7 - 50 - 0 ... 70 SOIC-8
LT1389BCS8-4.096 Наномощный, прецизионный, параллельный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
4.096 0.075 50 1 10 80 - 0 ... 70 SOIC-8
LT1389BCS8-5 Наномощный, прецизионный, параллельный источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
5 0.075 50 1 10 100 - 0 ... 70 SOIC-8
LT1431C Параллельный программируемый источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
5 0.4 30 600 1000 - - 0 ... 70 DIP-8
SOIC-8
TO-92
LT1431I Параллельный программируемый источник опорного напряжения Linear Technology Параллельные ИОН
5 0.4 50 600 1000 - - -40 ... 85 DIP-8
SOIC-8
TO-92
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 15 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019