Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| FCB11N60F | 600V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 320 | 11 | 125 |
D2-PAK |
| FCB11N60 | 600V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 320 | 11 | 125 |
D2-PAK |
| FCB110N65F | N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II FRFET®, 650 В, 35 А |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 110 | 35 | 357 |
D2-PAK |
| FCA47N60 | 600V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 58 | 47 | 417 |
TO-3PN |
| FCA20N60F | 600V N-CHANNEL FRFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 150 | 20 | 208 |
TO-3PN |
| FCA20N60 | 600V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 150 | 20 | 208 |
TO-3PN |
| FCA16N60 | 600V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 220 | 16 | 167 |
|
| FC40SA50FK | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 84 | 40 | 430 |
SOT-227 |
| FB180SA10 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 6.5 | 180 | 480 |
SOT-227 |
| FA57SA50LC | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 80 | 57 | 625 |
SOT-227 |
| FA38SA50LC | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 130 | 38 | 500 |
SOT-227 |
| EFC6602R | Сдвоенный N-канальный силовой MOSFET-транзистор на 12 В / 18 А / 5.9 мОм, для схем коммутации нагрузки в устройствах заряда/разряда Li-ion аккумуляторных батарей |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 12 | - | 11 | - | 5.9 | - | 18 | 2 |
|
| EFC6601R | Сдвоенный N-канальный силовой MOSFET-транзистор на 24 В / 13 А / 11.5 мОм, для схем коммутации нагрузки в устройствах заряда/разряда Li-ion аккумуляторных батарей |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 24 | - | 17 | - | 11.5 | - | 13 | 2 |
|
| DMP58D0SV | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 2 | -50 | - | - | - | - | - | -0.16 | 0.4 |
|
| DMP57D5UV | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 2 | -50 | - | - | - | - | - | -0.16 | 0.4 |
|
| DMP57D5UFB | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -50 | - | - | - | - | - | -0.2 | 0.425 |
|
| DMP3160L | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 165 | 97 | -2.7 | 1.08 |
SOT-23-3 |
| DMP3130L | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 73 | 59 | -3.5 | 1.4 |
SOT-23-3 |
| DMP3120L | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 120 | - | -2.8 | 1.4 |
SOT-23-3 |
| DMP3100L | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 147 | 86 | -2.7 | 1.08 |
SOT-23-3 |
