Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BSZ520N15NS3 | Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 150 В, 21 А, 52 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 52 | 21 | 57 |
|
| BSZ160N10NS3 | Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 100 В, 40 А, 16 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 16 | 40 | 63 |
|
| BSZ097N10NS5 | MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 9.7 | 40 | 69 |
|
| BSZ0506NS | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 30 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 5.3 | 4.4 | 40 | 27 |
|
| BSZ0501NSI | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 30 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 2.5 | 2 | 40 | 50 |
|
| BSZ042N06NS | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 40 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 4.2 | 40 | 69 |
|
| BSZ023N04LS | Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 40 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 3.2 | 2.35 | 40 | 69 |
|
| BSZ014NE2LS5IF | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 2.1 | 1.45 | 40 | 69 |
|
| BST82 | N-канальный полевой транзистор |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 10000 | - | 0.19 | 0.83 |
SOT-23-3 |
| BSS87 | N-канальный D-MOS транзистор режима вертикального повышения |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 1600 | 0.4 | 1 |
SOT-89 |
| BSS84W | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -50 | - | - | - | - | - | -0.13 | 0.2 |
SOT-323 |
| BSS84V | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 2 | -50 | - | - | - | - | - | -0.13 | 0.15 |
|
| BSS84LT1 | Power MOSFET 130 mA, 50 V P?Channel SOT?23 |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | 50 | - | - | - | - | - | 0.13 | 0.225 |
SOT-23-3 |
| BSS84DW | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 2 | -50 | - | - | - | - | - | -0.13 | 0.3 |
|
| BSS84 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
NXP |
MOSFET |
P | 1 | 50 | - | - | - | - | 0.1 | 130 | 250 |
SOT-23-3 |
| BSS84 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -50 | - | - | - | - | 10000 | -0.13 | 0.3 |
SOT-23-3 |
| BSS192 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
NXP |
MOSFET |
P | 1 | 240 | - | - | - | - | 12000 | 200 | 1 |
SOT-89 |
| BSS138W | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1400 | 0.2 | 0.3 |
SOT-323 |
| BSS138LT1 | Power MOSFET 200 mA, 50 V N?Channel SOT?23 |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 50 | - | - | - | - | - | 0.2 | 0.225 |
SOT-23-3 |
| BSS138DW | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 2 | 50 | - | - | - | - | 3500 | 0.2 | 0.2 |
|
