Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
2N6770T1 | N-CHANNEL MOSFET | Microsemi |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 400 | 12 | 150 |
|
|
2N6770 | N-CHANNEL MOSFET | Microsemi |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 400 | 12 | 150 |
|
|
2N6768T1 | N-CHANNEL MOSFET | Microsemi |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 300 | 14 | 150 |
|
|
2N6768 | N-CHANNEL MOSFET | Microsemi |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 300 | 14 | 150 |
|
|
2N6661 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 4000 | 1.5 | 6.25 |
TO-39 |
|
2N6660 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 3000 | 1.5 | 6.25 |
TO-39 |
|
2N4416A | N-CHANNEL J-FET | Microsemi |
MOSFET |
N | 1 | -35 | - | - | - | - | - | 10 | 0.3 |
|
|
19MT050XF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 4 | 500 | - | - | - | - | 210 | 31 | 1140 |
|