Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

ISL9N302AP3 N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET® Trench Power MOSFETs

 

Блок-схема

ISL9N302AP3, N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET® Trench Power MOSFETs

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 300
RDS(ON) 4.5 В,мОм 2.7
RDS(ON) 10 В,мОм 1.9
ID,А 75
PD,Вт 345
Корпус TO-220AB

Общее описание
Datasheet
 
ISL9N302AP3 (122.5 Кб), 26.03.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

ISL9N302AP3 N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET® Trench Power MOSFETs (122.5 Кб), 26.03.2009



Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 2003 Дата публикации: 26.03.2009 18:27
Дата редактирования: 26.03.2009 18:30

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники