Компоненты группы Диоды Шоттки
Диод Шоттки (назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В (MBR40250 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка нескольких десятков вольт. |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
||
FCSP2H40LTR | Диод Шотки в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа FlipKY |
![]() |
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 40 | 1.5 | 0.56 | 15 | 21 | 150 |
|
FUS45-0045B | Трехфазный диод Шоттки в корпусе ISOPLUS i4-PAC |
![]() |
IXYS |
Диоды Шоттки |
6 | 45 | 45 | 0.5 | 100000 | 150 | 150 |
|
IDD03SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 3 | 2.8 | 150 | 11.5 | 175 |
TO-252 |
IDD04SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 4 | 2.8 | 270 | 18 | 175 |
TO-252 |
IDD05SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 5 | 2.8 | 350 | 26 | 175 |
TO-252 |
IDD06SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 6 | 2.8 | 500 | 32 | 175 |
TO-252 |
IDD08SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 8 | 2.2 | 500 | 42 | 175 |
TO-252 |
IDD09SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 9 | 2.2 | 800 | 49 | 175 |
TO-252 |
IDD10SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 10 | 2.2 | 860 | 51 | 175 |
TO-252 |
IDD12SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 12 | 2.2 | 1000 | 59 | 175 |
TO-252 |
IDH02SG120 | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 1200 | 2 | 2.55 | 400 | 12 | 175 |
TO-220 |
IDH03SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 3 | 2.3 | 150 | 11.5 | 175 |
TO-220 |
IDH04SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 4 | 2.3 | 270 | 18 | 175 |
TO-220 |
IDH05S120 | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 1200 | 5 | 1.8 | 1000 | 29 | 175 |
TO-220 |
IDH05SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 5 | 2.3 | 350 | 26 | 175 |
TO-220 |
IDH06SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 6 | 2.3 | 500 | 32 | 175 |
TO-220 |
IDH08S120 | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 1200 | 7.5 | 1.8 | 1000 | 39 | 175 |
TO-220 |
IDH08SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 8 | 2.1 | 700 | 42 | 175 |
TO-220 |
IDH09SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 9 | 2.1 | 800 | 49 | 175 |
TO-220 |
IDH10S120 | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
![]() |
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 1200 | 10 | 1.8 | 1000 | 58 | 175 |
TO-220 |