+ PVDZ172N, Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, однополюсное, нормально разомкнутое, 0–60 В, 1.5A

Главная » Документация » Микросхемы » Оптоэлектроника » Оптореле » MOSFET Оптореле

PVDZ172N Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, однополюсное, нормально разомкнутое, 0–60 В, 1.5A

Блок-схема

PVDZ172N, Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, однополюсное, нормально разомкнутое, 0–60 В, 1.5A

Группа компонентов

MOSFET Оптореле

Основные параметры

Группа контактов	1-FORM-A
Каналов,шт	1
V_B,В	60
I_LOAD (макс.),мА	1500
R_DS(ON) (макс.),Ом	0.25
I_F (макс.),мА	25
I_LEAK(OFF) (макс.),мкА	4000
t_ON (макс.),мс	2
t_OFF (макс.),мс	0.5
V_ISO,В	4000
T_A,°C	от -40 до 85
Корпус	SMT-8

Общее описание

Ключевые характеристики:

Управление: Пост. ток
Управляющий ток,мА: 10
Ток размыкания,мА: 0.4
Управляющее напряжение макс.,В: 7
Выходной каскад: МОП транз+диод
Контакты: НР
Коммутируемое пост.напряжение ,В: 0-60
Максимальный ток нагрузки ,А: 1.5
Время включения макс.,мс: 2
Время выключения макс,,мс: 0.5
Сопротивление в открытом состоянии макс.,Ом: 0.25
Сопротивление в закрытом состоянии мин.,МОм: 10000
Напряжение изоляции,кВ: 4

Datasheet

PVDZ172N (372 Кб), 03.09.2008

Производитель

International Rectifier (IRF)

Где купить

Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

PVDZ172N Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, однополюсное, нормально разомкнутое, 0–60 В, 1.5A (372 Кб), 03.09.2008

Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 2929

Дата публикации: 03.09.2008 10:54
Дата редактирования: 12.02.2013 09:31

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019