+ IRFBE30L, HEXFET® Power MOSFET
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IRFBE30L HEXFET® Power MOSFET

 

Блок-схема

IRFBE30L, HEXFET® Power MOSFET

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 800
RDS(ON) 10 В,мОм 3000
ID,А 4.1
PD,Вт 125
Корпус TO-262
Datasheet
 
IRFBE30L (490.5 Кб), 03.07.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IRFBE30L HEXFET® Power MOSFET (490.5 Кб), 03.07.2008



Автор документа: Оксана Данова, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 504 		Дата публикации: 03.07.2008 15:30
Дата редактирования: 03.07.2008 15:31

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники