Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| MMIX1F520N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 500 | 830 |
|
| MMIX1T550N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 550 | 830 |
|
| MMIX1T600N04T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 40 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 600 | 830 |
|
